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  1.一种铜镀银导电橡胶，其特征是，按照重量份数计，包括硅橡胶20‑35份，铜镀银粉

  2.根据权利要求1所述铜镀银导电橡胶，其特征是，按照重量份数计，包括硅橡胶20‑

  28份，铜镀银粉70‑80份，硫化剂0.8‑1.5份，含氟硅烷2‑8份。

  3.根据权利要求2所述铜镀银导电橡胶，其特征是，按照重量份数计，包括硅橡胶23

  4.根据权利要求1‑3任一项所述铜镀银导电橡胶，其特征是，所述铜镀银粉的含银量

  5.根据权利要求1‑3任一项所述铜镀银导电橡胶，其特征是，所述铜镀银粉的平均粒

  6.根据权利要求1‑3任一项所述铜镀银导电橡胶，其特征是，所述硅橡胶选自甲基硅

  7.根据权利要求1‑3任一项所述铜镀银导电橡胶，其特征是，所述含氟硅烷选自1H,

  1H,2H,2H‑全氟辛基三甲氧基硅烷和3,3,3‑三氟丙基甲基二甲氧基硅烷中一种或多种。

  8.根据权利要求1‑3任一项所述铜镀银导电橡胶，其特征是，所述铜镀银导电橡胶的

  9.一种如权利要求1‑8任一项所述铜镀银导电橡胶的制备方法，其特征是，包括以下

  （2）将所述胶料、硫化助剂、硫化剂、铜镀银粉和含氟硅烷进行混炼，制得混炼胶；

  导致了电磁干扰、电磁信息泄露和环境电磁污染等问题也慢慢变得严重。导电橡胶作为一种

  电磁兼容性)领域中，提高电子设备或网络系统的抵抗电磁干扰的能力，降低了环境电磁污

  目前，导电橡胶中主要是将导电填料(玻璃镀银、铝镀银、铜镀银、碳黑、纯银、石墨

  镀镍等)加入到硅橡胶中，增加导电橡胶的导电性和水汽密封性能，来提升电子设备抵抗

  电磁干扰的能力。随着导电填料的用量逐渐增加，导电橡胶的导电性逐渐提高，同时导致电

  第一方面，本申请提供了一种铜镀银导电橡胶，按照重量份数计，包括硅橡胶20‑

  35份，铜镀银粉70‑85份，硫化剂0.8‑2.5份，含氟硅烷2‑12份，助剂1‑20份。

  在本申请中，将铜镀银粉、含氟硅烷、硫化剂和助剂加入到硅橡胶中，再经过混炼

  和硫化等操作，制得铜镀银导电橡胶。在铜镀银粉、含氟硅烷和硅橡胶的作用下，使得铜镀

  银导电橡胶具有较高的综合性能，铜镀银导电橡胶的体积电阻率在0.006Ω·cm以下，在

  100MHz下电磁损失量在122dB以上，肖氏硬度在60以下，在100℃×70h×30％的条件下，压

  在一个实施方案中，按照重量份数计，所述铜镀银导电橡胶包括硅橡胶20‑28份，

  铜镀银粉70‑80份，硫化剂0.8‑1.5份，含氟硅烷2‑8份，助剂1‑20份。

  在本申请中，硅橡胶、铜镀银粉和含氟硅烷按照重量份(20‑28份)/(70‑80份)/(2‑

  优选地，所述铜镀银导电橡胶包括硅橡胶23份，铜镀银粉76份，硫化剂1份，含氟硅

  烷5份，助剂15份，所得铜镀银导电橡胶的体积电阻率为0.003Ω·cm，在100MHz下的电磁损

  失量为135dB，肖氏硬度为50，在100℃×70h×30％的条件下，压缩永久变形为2.2％。

  短了硫化的时间，保证了硫化后的硅橡胶的力学性能，使得铜镀银导电橡胶更好的进行硫

  化。一般性地，硫化助剂可以为三烯丙基异三聚氰酸酯或二硫化四甲基秋兰姆等物质。硫化

  在本申请中，所述铜镀银粉的含银量可以为5％、8％、10％、12％、15％、18％、

  20％、22％、25％、28％或30％。将铜镀银粉用于制备铜镀银导电橡胶，经检测，随着铜镀银

  粉中含银量的逐渐递增，制得铜镀银导电橡胶的体积电阻率从0 .005Ω·cm下降到0 .002

  Ω·cm，电磁损失量从132dB提高到138dB，说明铜镀银导电橡胶的导电性和电磁屏蔽效能

  在本申请中，所述铜镀银粉的平均粒径可以为15μm、20μm、23μm、或25μm。将铜镀银

  粉用于制备铜镀银导电橡胶，铜镀银粉与铜镀银粉之间接触并形成连续的通路，所以铜镀

  增大；在100MHz下电磁损失量先增加后降低，肖氏硬度先降低后升高；压缩永久变形基本保

  持不变。当铜镀银粉的平均粒径为15μm时，制得铜镀银导电橡胶的体积电阻率为0.003Ω·

  cm，电磁损失量为135dB，硬度为50，压缩永久变形为2.2％。也就是说，当铜镀银粉的平均粒

  胶。硅橡胶可以为甲基硅橡胶或甲基乙烯基硅橡胶或甲基硅橡胶和甲基乙烯基硅橡胶的组

  合物。当硅橡胶为甲基硅橡胶和甲基乙烯基硅橡胶的组合物时，甲基硅橡胶和甲基乙烯基

  在一个实施方案中，所述含氟硅烷选自1H,1H,2H,2H‑全氟辛基三甲氧基硅烷和3,

  通过采用上述技术方案，含氟硅烷可以为1H,1H,2H,2H‑全氟辛基三甲氧基硅烷或

  3,3,3‑三氟丙基甲基二甲氧基硅烷或1H,1H,2H,2H‑全氟辛基三甲氧基硅烷和3,3,3‑三氟

  丙基甲基二甲氧基硅烷的组合物。当含氟硅烷为1H,1H,2H,2H‑全氟辛基三甲氧基硅烷和3,

  3,3‑三氟丙基甲基二甲氧基硅烷的组合物时，1H,1H,2H,2H‑全氟辛基三甲氧基硅烷和3,3,

  (2)将所述胶料、硫化助剂、硫化剂、铜镀银粉和含氟硅烷进行混炼，制得混炼胶；

  按照原料的相应份数，将硅橡胶、白炭黑和增塑剂加入混炼机内，在温度为10‑40

  ℃下进行混炼，混炼10‑15min后，制得胶料；再加入硫化助剂、硫化剂、铜镀银粉和含氟硅

  烷，在10‑40℃温度下进行混炼，混炼时间为10‑15min，制得混炼胶。

  条件：温度为160‑180℃，压力为8‑15MPa，时间为10‑15min；二次硫化的条件：温度为180‑

  1、本申请采用硅橡胶、铜镀银粉和含氟硅烷等原料，且硅橡胶、铜镀银粉和含氟硅

  烷按照份数比为(20‑35份)/(70‑85份)/(2‑12份)进行制备铜镀银导电橡胶，所得铜镀银导

  电橡胶的体积电阻率在0.006Ω·cm以下，在100MHz下电磁损失量在122dB以上，肖氏硬度

  在60以下，在100℃×70h×30％的条件下，压缩永久变形在10％以下；

  2、本申请中优选采用铜镀银粉的含银量为5‑30％，所得铜镀银导电橡胶的体积电

  3、本申请中优选采用铜镀银粉的平均粒径为15‑25μm，所得铜镀银导电橡胶的体

  4、本申请铜镀银导电橡胶的制备方法有混炼和两次硫化处理，制备方法简单，

  (1)将23kg的硅橡胶，8kg的白炭黑和6kg的增塑剂加入混炼机中进行混炼，制得胶

  (2)再向胶料中加入76kg的铜镀银粉、5kg的含氟硅烷、1kg的硫化剂和1kg的硫化

  将上述由实施例1‑10和对比例1‑7制得的铜镀银导电橡胶进行性能测试，性能测

  试主要包括导电性、电磁屏蔽效能、硬度和压缩永久变形，具体检测结果如表2所示。

  利用体积电阻率表示导电性，参照MIL‑G‑83528标准做检测，体积电阻率越小，

  电磁屏蔽效能参照CHO‑TM‑TP08标准进行仔细的检测，检测100MHz(E场)下的电磁波的衰

  压缩永久变形参照ASTM  D395(方法B)标准做检测，检测条件为100℃×70h×

  组别 体积电阻率/Ω·cm 电磁损失量/dB 肖氏硬度 压缩永久变形/％

  结合实施例1‑10和对比例1‑7并结合表2能够准确的看出，利用硅橡胶、铜镀银粉和含氟

  硅烷等原料制备铜镀银导电橡胶，其中硅橡胶、铜镀银粉和含氟硅烷按照份数比为(20‑35

  份)/(70‑85份)/(2‑12份)进行制备。经检测，铜镀银导电橡胶的体积电阻率在0.006Ω·cm

  以下，在100MHz下电磁损失量在122dB以上，肖氏硬度在60以下，在100℃×70h×30％的条

  结合实施例1‑10并结合表2能够准确的看出，当硅橡胶为23kg，铜镀银粉为76kg，含氟硅

  烷为5kg，白炭黑为8kg、增塑剂为6kg、硫化剂为1kg和硫化助剂为1kg，铜镀银粉的含银量为

  20％，平均粒径为15μm，经过混炼和硫化处理后，制备获得铜镀银导电橡胶。所得铜镀银导

  电橡胶的体积电阻率为0.003Ω·cm，在100MHz下的电磁损失量为135dB，肖氏硬度为50，在

  100℃×70h×30％的条件下，压缩永久变形为2.2％。说明所得铜镀银导电橡胶具有较好的

  实施例11‑14与实施例1的区别仅在于铜镀银粉中含银量的不同；实施例15‑17与

  将上述由实施例11‑17制得的铜镀银导电橡胶进行性能测试，性能测试主要包括

  组别 体积电阻率/Ω·cm 电磁损失量/dB 肖氏硬度 压缩永久变形/％

  结合实施例11‑14和实施例1并结合表4能够准确的看出，利用硅橡胶、铜镀银粉和含氟硅

  烷等原料制备铜镀银导电橡胶，铜镀银粉中含银量为5‑30％；经检测，所得铜镀银导电橡胶

  53，在100℃×70h×30％的条件下，压缩永久变形为0.5‑5.3％。

  结合实施例15‑17和实施例1并结合表4能够准确的看出，利用硅橡胶、铜镀银粉和含氟硅

  烷等原料制备铜镀银导电橡胶，铜镀银粉的平均粒径为15‑25μm；经检测，所得铜镀银导电

  为50‑56，在100℃×70h×30％的条件下，压缩永久变形保持不变。

  方式，然而本申请并不局限于此。对于本领域内的技术人员而言，在不脱离本申请的精神和

  实质的情况下，能做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。